Rivoluzione nelle Memorie: Scoperta Italiana per Velocità e Efficienza senza Precedenti
Un team internazionale guidato dall’Università Cattolica di Brescia ha svelato il ruolo dei difetti topologici nei materiali di Mott, aprendo la strada a dispositivi più rapidi ed efficienti per l’elettronica avanzata. Un’importante scoperta nel campo delle memorie resistive (ReRAM) e degli interruttori elettrici a bassa energia potrebbe rivoluzionare il settore dell’elettronica. Questo studio, condotto dall’Università…